防 静 电 规 范
制 作 : 郑 业 确 认 : 承 认 :
一、 ESD 产生的危害
静电放电( ESD)常会发生在电子装配和包装过程中,它容易造成元器件损坏,而又容易被人们低估和
忽视。越来越多敏感的电子元件很易被静电所损坏, ESD 每年给世界的电子制造工业造成很大的损失。静
电放电( ESD)的定义为,带有静电电荷(电子不足或过剩)的载体放电,产生电子流。
如果一个元件的两个针脚或更多针脚之间的电压超过元件介质的击穿强度,就会对元件造成损坏。这
是 MOS 器件出现故障最主要的原因。氧化层越薄,则元件对静电放电的敏感性也越大。故障通常表现为
元件本身对电源有一定阻值的短路现象。对于双极性元件,损坏一般发生在薄氧化层隔开的已进行金属喷
镀的有源半导体区域,因此会产生泄漏严重的路径。
如果带有足够高静电电荷的载体靠近有相反电势的集成电路( IC)时,静电电荷会 "跨接 ",产生电子