IGBT 并联技术技术详解
IGBT 并联均流问题
影响静态均流的因素
1、并联 IGBT 的直流母 线侧连接点的电阻分量,因 此需要尽量对称;
2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二极管芯片的 VF的差异,因此尽量采取同一批次的产品。
3、 IGBT 模块所处的温度差异,设计机械结构及风道时需要考虑;
4、 IGBT 模块所处的磁场差异;
5、栅极电压 Vge 的差异。
影响动态均流的因素
1、 IGBT 模块的开通门槛电压 VGEth 的差异, VGEth 越高, IGBT 开通时刻越晚,
不同模块会有差异;
2、每个并联的 IGBT 模块的直流母线杂散电感 L 的差异;
3、门极电压 Vge 的差异;
4、门极回路中的杂散电感量的差异;
5、 IGBT 模块所处温度的差异;
6、 IGBT 模块所处的磁场的差异。
IGBT 芯片温度对均流的影响
IGBT 芯片的温度对于动态均