第三代半导体材料生长与器件应用的研究 作者： 李嘉席， 孙军生， 陈洪建， 张恩怀 作者单位： 河北工业大学,材料学院,天津,300130 刊名： 河北工业大学学报 英文刊名： JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2002，31(2) 被引用次数： 3次 参考文献(37条) 1. CASADY J B. Johnson R W Status of silicon carbide(SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high- temperature applications:a Review 1996(10) 2.顾忠良 GaN半导体研究与进展 1999(04) 3.梁春广 . 张冀 GaN-第三代半导体的曙光 [期刊论文]-半导体学报 1999(02)