目的:探讨在铸造纯钛表面电火花沉积技术制备中间层对钛瓷结合强度的影响。方法:将40个纯钛试件平均分为4组,分别用硅、锆及钴铬合金电极通过电火花沉积技术在其表面制备中间层,对照组不作沉积处理,喷砂后测各组试件的表面粗糙度。参照IS0 9693(1999)Amd.1 2005(E)标准在试件中份烧结Ti-22瓷粉,测钛瓷间的三点弯曲结合强度。对钛瓷结合界面进行扫描电镜观察及X射线能谱分析。用X射线衍射分析仪分析硅电极组中间层的结构。结果:喷砂后各组试件表面粗糙度差异无显著性,硅电极组钛瓷间的三点弯曲结合强度最高,为(33.38±3.67)MPa,较其他3组结合强度差异有显著性(P<0.05),其他3组间钛瓷结合强度差异无显著性。扫描电镜观察显示各组试件钛瓷结合界面均未见明显氧化层,硅电极组可见中间层与钛基材间有约15～20μm的过渡层。X射线衍射分析结果提示硅电极组中间层中有TiN、Ti5Si3及TiSi2生成。结论:通过电火花沉积技术用硅电极在铸造纯钛表面制备中间层可提高其钛瓷结合强度。