磁参数对六角铁氧体RAM温度稳定性影响
磁参数对六角铁氧体RAM温度稳定性影响
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30 2021-09-10
pdf | 300KB | 未知
正文 简介
从磁参数（饱和磁化强度，磁晶各向异性场）温度稳定性出发，对六角铁氧体ＲＡＭ的温度稳定性进行了讨论；通过对Ｍ、Ｗ型六角铁氧体在温度ｔ＝１８～１００℃，频率ｆ＝８～１２ＧＨｚ时吸收率Ｒ（Ｒ～ｆ）的温度稳定性和材料起始磁导率μ1随温度的变化曲线（μ1～ｔ）的测试，得到单轴六角铁氧体材料Ｒ～ｆ的温度稳定性优于平面六角铁氧体材料，并且和材料的μ1～ｔ变化规律吻合较好的结果。
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