第 ４５卷第 ５期 ２００８年 ９月 真 空 ＶＡＣＵＵＭ Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．５ Ｓｅｐ．２００８ 收 稿日 期：２００７－１０－０３ 作 者简 介：王 光伟（１９７１－），男 ，山东 省滨 州市 人 ，副 教授 ，博士 。 ＊基 金项 目：天 津市 高校 科 技发 展基 金项 目（Ｎｏ．２００６０６０５）。 ＺｎＯ薄膜的制备方法、 性质和应用 ＊ 王光伟 ，张建民 ，郑宏兴 ，杨 斐 （天 津工 程 师范 大学 电子 工程 系 ，天津 ３００２２２） 摘 要：介 绍 了宽 禁 带 半导 体 ＺｎＯ薄 膜 的 制备 工 艺、主 要 性质 和 器 件应 用 等几 方 面内 容 。ＺｎＯ薄膜 的 制 备 方法 大致 分 为物 理法 和化 学法 。前者 主要 包 括溅 射、脉 冲激 光沉 积和 分子 束 外延 等；后 者则 涵盖 化 学气 相 沉积 、喷雾 热解 和溶 胶 －凝胶 法等 。从