LED 发光二极管的发光机理详细图解 LED 发光二极管的发光机理 1.p-n 结电子注入发光 图 1、图 2表示 p-n结未知电压是构成一定的势垒；当加正向偏置时势垒下降， p区和 n 区的多数载流 子向对方扩散。由于电子迁移率 μ比空穴迁移率大得多，出现大量电子向 P 区扩散，构成对 P区少数载流 子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放。这就是 P-N 结发光的原 理。 P-N 结发光的原理图 1 P-N 结发光的原理图 2 发光的波长或频率取决于选用的半导体材料的能隙 Eg。如 Eg的单位为电子伏（ eV） , Eg=hv/q=h c/( λq) λ=hc/(qEg)=1240/Eg (nm) 半导体可分为置接带隙和间接带隙两种，发光二极管大都采用直接带隙材料，这样可使电子直接从导 带跃迁到价带与空穴复合而发光，有很高的效率。反之，采用间接带隙材