LED 发光二极管的发光机理详细图解 LED 发光二极管的发光机理 1.p-n结电子注入发光 图 1、图 2表示 p-n 结未知电压是构成一定的势垒；当加正向偏置时势垒下降， p 区和 n 区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率 μ比空穴迁移率大得多，出现大量电子向 P 区扩散，构成对 P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能 量以光能的形式释放。这就是 P-N 结发光的原理。 P-N 结发光的原理图 1 P-N 结发光的原理图 2 发光的波长或频率取决于选用的半导体材料的能隙 Eg。如 Eg 的单位为电子伏 （eV） , Eg=hv/q=h c/( λ q) λ =hc/(qEg)=1240/Eg (nm) 半导体可分为置接带隙和间接带隙两种， 发光二极管大都采用直接带隙材料， 这样可使 电子直接从导带跃迁到价带与空穴复合而发光，有很高的效率。反之，采用间