Word 文档 单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池 的工作原理及区别 硅太阳能电池的外形及基本结构如图 1。其中基本材料为 P型单晶硅，厚度 为 0.3—0.5mm 左右。上表面为 N+型区，构成一个 PN＋结。顶区表面有栅状金属 电极，硅片背面为金属底电极。上下电极分别与 N＋区和 P区形成欧姆接触，整个 上表面还均匀覆盖着减反射膜。 当入发射光照在电池表面时，光子穿过减反射膜进入硅中，能量大于硅禁带宽 度的光子在 N+区，PN＋结空间电荷区和 P区中激发出光生电子 ——空穴对。各区 中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区，就对发光电压作出贡献。光生电子留 于 N＋区，光生空穴留于 P区，在 PN＋结的两侧形成正负电荷的积累，产生光生 电压，此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后，光电池就从 P区经负载流 至 N＋区，负载中就有功率输出。 太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同