一、您好：我看到很多 SDRAM的数据、地址总线上都串接了小电阻 （ 10 欧姆到 100 欧姆）； 1、这样做的主要目的是什么？串接的电阻阻值应该怎么来确定？ 2、对于程序 FLASH（比如 NOR 型的 flash， access time ＝ 70ns）的数据和地址总线需要这 样做吗？ 不知道你的具体的拓扑结构， 我觉得主要是限制信号的反射和过冲的。 这要根据你的拓扑结 构以及芯片的驱动能力及时序要求决定。 二、是 TR or TF 决定该线路是否为高速信号，在信号的测量中，我们经常会发现信号的上 升沿太缓慢 ,或出现抖动，那么他究竟有什么因素决定呢 ? 与逻辑们本身的性能和负载大小 有什么具体的关系，以前在作阻抗匹配的时候会发现加大了窜连珠智慧会增大 TR. 决定因素很多， 例如你的负载是否太重， 你的匹配是否合适， 芯片的驱动能力等等。 这个要 分 DC和 AC 来分析，我们在设