在中科院、国家自然科学基金委以及科技部等项目基金的资助下,一个由来自中国科学院、清华大学、北京工业大学多家研究单位的科研人员组成的研究小组经过五年多的持续攻关研究,开发了一种低温界面工程技术,并进一步设计和构筑了具有锐利界面的新型n—ZnO/i—MgO/p-Si双异质结p-i-n紫外探测器结构,由此成功研制Si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件,其独创的Si基ZnO单晶材料生长工艺及器件制备技术为我国在光电子技术领域的自主创新研究开辟了一条新路。
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