MOCVD水平式反应器中热泳力对沉积过程中反应前体浓度分布的影响分析及数值模拟
105 4.4
23 2021-04-27
pdf | 485KB | 6页
正文 简介
在MOCVD反应器中,针对GaN生长中的TMGa分子,推导出热泳力、热泳速度以及扩散速度的计算公式。在低温区,热泳速度大于扩散速度;在高温区则相反。影响热泳力的主要因素为温度梯度和分子直径。水平式反应器内,粒子同时受到热泳速度和扩散速度的影响。在只考虑组分输运以及包括化学反应等两种情况下,通过改变反应器上壁面温度,模拟得到水平式反应器中热泳力对沉积速率以及反应物粒子浓度分布的影响。并与文献中的实验数据对比,验证了模拟结果的正确性。结果显示,由于热泳力的影响,在相同操作条件下高温区H2等小直径粒子的质量分数增大、TMGa和NH3等大分子粒子的质量分数减小。从提高生长速率的角度,需减小上下壁面温度梯度;从沉积均匀性的角度,应使到达下游的反应粒子数增多,故需增大上下壁面温度梯度。
对不起，您暂无在线预览权限，如需浏览请
立即登录*温馨提示：该数据为用户自主上传分享，如有侵权请举报或联系客服：400-823-1298处理。
song8mi***
服务： 4.7
数据量： 4
人气： 131
擅长：市政 园林 给排水 暖通
热门商品
- 2025-01-15 13510119*** 10KB 4.5
- 2025-01-15 13510119*** 17KB 4.5
- 2025-01-15 13510119*** 498KB 5
- 2025-01-14 13438009*** 3.6MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 14.7MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 7.9MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 5.2MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 38KB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 1.0MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 1.0MB 4.5
您可能感兴趣
50
原价:
100 积分
立即购买