4·2GHz CMOS射频前端电路设计

4·2GHz CMOS射频前端电路设计

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38 2021-04-27
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正文 简介
设计并实现了一个工作在4.2 GHz的全集成CMOS射频前端电路,包括可实现单端输入到差分输出变换的低噪声放大器和电流注入型Gilbert有源双平衡混频器。电路采用SMIC0.18μm RF工艺。测试结果表明,在1.8 V电源电压下,电路的功率增益可达到26 dB,1 dB压缩点为-27 dBm,电路总功耗(含Buffer)为21 mA。
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