LiNbO_3基Sn-As_2S_8单偏振单模波导电光开关的设计
LiNbO_3基Sn-As_2S_8单偏振单模波导电光开关的设计
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32 2021-04-27
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正文 简介
掺锡非晶态硫化砷(Sn-As_2S_8)半导体具有独到的光阻断效应,与电光效应晶体结合有望构成新的功能器件。为此提出了一种以铌酸锂(LiNbO_3)为基板、以Sn-As_2S_8半导体为导波的马赫一曾德干涉型电光开关的方案。阐述了器件设计的理论和方法,设计了LiNbO_3基Sn-As_2S_8单偏振单模波导,对3dB定向耦合器做了取点扫描法优化设计,对电压与电极长度之间的关系进行了定量计算。器件经三维BPM仿真表明,在外加电压on和off的情况下,输出端口可分别实现(0.14±0.06)%和(99.95±0.02)%的耦合效率,显示出良好的电光开关功能。
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