研制吉赫兹横电磁波传输小室,其过渡接头的结构设计尤为关键.运用电磁学中的能量对偶法精确求解GTEM cell中过渡接头部分的特性阻抗,通过建立和求解精确的过渡接头内导体侧边曲线方程,对内导体侧边形状进行优化设计.改进了以往GTEM cell过渡接头内导体侧边采取直线过渡的近似设计方法,解决了高频输入转接头的设计制作难题,保证了高频传输室的整体性能.测试结果表明:采用优化设计过渡接头内导体研制的传输室在0.4~15 GHz的频带范围内,电压驻波比均小于1.5,其综合性能明显高于优化设计前的高频传输小室.