沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响
沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响
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23 2021-04-27
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正文 简介
采用0.35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件,芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联,以获得高的击穿电压和大的工作电流.研究发现,沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响,且最终影响量产中的良率.实验表明,在相同的工艺条件下,沟槽深度为1.65μm(试验范围为1.60~1.95μm)时,Φ200 mm晶片的良率可达98%以上,器件导通电阻约8.2 mΩ,源漏击穿电压稳定在34 V以上,正常工作电流可达5 A,开启电压和漏电流也稳定在要求范围内.
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