在三代微光像管中,微通道板(MCP)输入面上覆盖一层超薄离子壁垒膜(IBF),目的是保护光电阴极,延长像管使用寿命。为了深入研究离子壁垒膜的特性,本文对Al2O3和SiO2两种离子壁垒膜的粒子阻透能力进行了蒙特卡罗模拟,结果表明:5 nm厚Al2O3和SiO2离子壁垒膜的死电压分别为230~240 V和220~230 V之间;输入能量0.24 keV时背散射电子数最高达19%左右;输入能量0.8 keV时,Al2O3膜电子透过率为87.16%,SiO2膜为88.12%,电子透过的极限膜厚前者为15 nm,后者为16 nm;对于输入能量0.26 keV的C+、N+、O+离子,Al2O3膜的离子阻当率为95%~99%;Al2O3离子壁垒膜在厚度5 nm时具有较好的电子透过率和较高的离子阻挡率。