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首周期裂解方式对先驱体转化制备C_f/SiC复合材料性能的影响

首周期裂解方式对先驱体转化制备C_f/SiC复合材料性能的影响

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37 2021-04-28
pdf | 829KB | 4页
正文 简介
以聚碳硅烷(PCS)为陶瓷先驱体,采用PIP工艺制备3D—B Cf／SiC复合材料,研究了首周期采用不同裂解方式对基体及材料性能的影响。研究结果表明,首周期采用真空裂解或加压(5MPa)裂解,先驱体的陶瓷产率不同, 加压裂解的陶瓷产率最高,达到67．2％。裂解方式对产物的晶体结构没有明显的影响;首周期采用真空裂解制得的Cf／SiC复合材料性能最优,室温弯曲强度和断裂韧度达到404MPa和20．2MPa·m1/2,分别比采用加压裂解所得材料的性能提高40．7％和42．3％。
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