CMOSX射线实时成像技术在薄壁压力管道焊缝探伤中的试验研究

CMOSX射线实时成像技术在薄壁压力管道焊缝探伤中的试验研究

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34 2021-04-28
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正文 简介
互补金属氧化硅(complementary metal oxide silicon,简称CMOS)X射线图形探头诞生,该产品的技术专利来自美国NASA宇航中心喷气推进室。上海市特种设备监督检验技术研究院在2004年引进该项设备,并开展CMOS X射线实时成像系统在薄壁承压设备检验检测领域的技术开发、研究和应用。
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