低驱动电位Al-Ga合金牺牲阳极及其活化机制
低驱动电位Al-Ga合金牺牲阳极及其活化机制
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25 2021-04-28
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正文 简介
采用恒电流试验评价了不同Ga含量的Al-Ga二元合金牺牲阳极的电化学性能,并通过X射线衍射、扫描电镜及能谱分析、回沉积等实验探讨了阳极的活化溶解机制。结果表明,采用高纯铝锭炼制的Al-0.07%Ga二元合金工作电位在-0.820 V～-0.876 V(vs.Ag/AgCl海水)之间,而用工业铝锭Al99.85炼制的Al-0.1%Ga二元合金阳极工作电位在-0.802 V～-0.818 V之间,基本满足低驱动电位牺牲阳极的要求,但局部腐蚀溶解均较严重,溶解性能有待改善;Al-Ga合金腐蚀产物中的Ga含量随基体中Ga含量的增加而增加,但远小于基体中的Ga含量;溶解后阳极表面的Ga含量大于基体中Ga含量,原因是溶解在溶液中的Ga~(3+)回沉积到阳极表面,使得阳极表面Ga含量增加;Al-Ga阳极的活化符合溶解-再沉积机理。
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