650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件

650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件

74 4.8
24 2021-04-28
pdf | 474KB | 3页
正文 简介
本文介绍了Infineon公司专为Irom>300A中大电流应用设计的最新的650V IGBT4。与600V IGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发射效率。相应地,器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。
*温馨提示:该数据为用户自主上传分享,如有侵权请举报或联系客服:400-823-1298处理。
songxi***
songxi***
服务: -
数据量: 8
人气: -
擅长:土建 装饰 园林 电气

您可能感兴趣

原价: 100 积分
立即购买

老客限时专享

优惠券专享

恭喜您获得500元优惠券