纳米CeO_2抛光液的制备及其抛光性能研究
在水体系中采用沉淀法制备了纳米CeO2粉体,并用XRD、SEM、TEM等对其晶体结构、粒度与形貌等进行了表征。将所得粉体配成水基纳米CeO2抛光液,研究了其抛光硅片的性能与机理,并与纳米S iO2抛光液作对比。结果表明,粒度在100 nm以下的CeO2对硅片具有良好的抛光效果,抛光后硅片表面形貌有很大改观,表面划痕被抛掉,在面积172μm×128μm的范围内得到了表面粗糙度Ra为0.689 nm的超光滑表面。
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