980nm半导体激光器高反膜的优化设计

980nm半导体激光器高反膜的优化设计

84 4.6
35 2021-04-28
pdf | 485KB | 4页
正文 简介
通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为Al2O3(Ta2O5/SiO2)7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。
*温馨提示:该数据为用户自主上传分享,如有侵权请举报或联系客服:400-823-1298处理。
luyan***
luyan***
服务: -
数据量: 3
人气: -
擅长:装饰 市政 园林 其他

您可能感兴趣

原价: 100 积分
立即购买