双向联想记忆神经网络的开关电流技术实现
双向联想记忆神经网络的开关电流技术实现
65 4.3
32 2021-08-07
pdf | 137KB | 5页
正文 简介
本文研究了双向联想记忆（ＢＡＭ）神经网络的开关电流技术实现。提出了实现负权值及存储联想矢量的两个开关电流单元电路；基于此，给出了双向联想记忆网络的开关电流电路。文中对三神经元双向联想记忆ＳＩ网络进行了ＰＳＰＩＣＥ仿真，结果表明所提出的ＳＩ联想记忆网络是正确的。
对不起，您暂无在线预览权限，如需浏览请
立即登录*温馨提示：该数据为用户自主上传分享，如有侵权请举报或联系客服：400-823-1298处理。
热门商品
- 2025-01-15 13510119*** 10KB 4.5
- 2025-01-15 13510119*** 17KB 4.5
- 2025-01-15 13510119*** 498KB 5
- 2025-01-14 13438009*** 3.6MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 14.7MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 7.9MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 5.2MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 38KB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 1.0MB 4.5
- 2025-01-14 13438009*** 1.0MB 4.5
您可能感兴趣
50
原价:
100 积分
立即购买