超级结深沟槽填充工艺及其对器件性能的影响

超级结深沟槽填充工艺及其对器件性能的影响

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36 2021-08-07
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正文 简介
基于沟槽型超级结MOSFET,研究了硅外延工艺、多晶硅填充工艺和非晶硅填充工艺对沟槽填充效果的影响,以及不同的沟槽填充效果对器件的漏电流的影响。
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