AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法

AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法

98 4.7
23 2021-08-07
pdf | 247KB | 2页
正文 简介
InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃基片结构上,改变不同沉积温度制备,InN薄膜,得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好,薄膜衬底成本廉价,可用于大面积制造大功率,高频率器件,降低其成本价格。
*温馨提示:该数据为用户自主上传分享,如有侵权请举报或联系客服:400-823-1298处理。
readman***
readman***
服务: -
数据量: 4
人气: -
擅长:土建 给排水 暖通

您可能感兴趣

原价: 100 积分
立即购买