电流型GaN辐射探测器研制

电流型GaN辐射探测器研制

78 4.4
25 2021-08-07
pdf | 552KB | 4页
正文 简介
采用大面积半绝缘型GaN(semi-insulting GaN,SI-GaN)晶体制备了电流型GaN辐射探测器,研究了探测器伏安(I-V)特性、γ射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明,晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触,探测器在600V偏压下暗电流低于400pA,电荷收集效率高于40%,探测器脉冲响应时间在ns量级。
*温馨提示:该数据为用户自主上传分享,如有侵权请举报或联系客服:400-823-1298处理。
xxshcom***
xxshcom***
服务: -
数据量: 3
人气: -
擅长:土建 给排水 暖通

您可能感兴趣

原价: 100 积分
立即购买