硼微晶玻璃扩散源使用方便,价格低廉,在半导体器件制造中已应用较长时间。但它在一般预淀积温度下,淀积在半导体表面的硼硅玻璃较薄,浓度不易提高。如果提高温度,则会引起源片翘曲,且在硅片表面形成一层有害的硼硅相。因此,这种源片很少在高密度的集成电路中应用。本工作着重研究了在预淀积中增加并控制一定量的水汽在整个饱和气 体中的含量,使源片表面HBO_2的蒸发速率明显提高(HBO_2饱和蒸气压比B_2O_3大得多),从而得到一层更均匀,浓度更高,且较厚的的硼硅玻璃层。通过实验,给出了在不同的水汽含量及温度下与硼硅玻璃厚度t_(ox),薄层电阻ρ_S的关系曲线,得到了t_(ox),p_s均匀性、重复性曲线和纵向杂质分布曲线,并与常规预淀积条件下的t_(ox),ρ_S均匀性,重复性曲线,和杂质分布曲线作了比较。最后指出:该工艺在短沟道CMOS技术中,制作浅结p~+漏、源有特殊好处。克服了离子注入工艺中的“沟道效应”,为制作短沟道CMOS电路提供了方便。