光学吸收性能增强20倍的SOI型光电探测器
增加一层单层的纳米级微粒,就能显著地改变物质结构的光学性质。最近我们提供了一个实际例子:在薄薄的硅在绝缘层上(SOI)的光电探测器上,增加一层纳米微粒的银(Ag)层,其光学吸收能力(吸收波长λ≈800nm)会增加大约20倍。图1上部表示SOI样品的几何图形以及纳米微粒层的一张扫描电子显微镜(SEM)成像图,微粒的平均直径D=108nm。这种光电探测器是由一个p-n结所组成的,而
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