紫外光电探测器研制
采用宽带隙半导体材料SiC,进行紫外光电探测器的制备。基于机械性能和化学稳定性考虑,增透抗反膜的制备采用SiO2+Al2O3工艺,同时对其表面钝化层和增透抗反膜工艺进行了研究讨论。
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