功率15mW的紫外发光二极管(LED)
Al-Ga—N系紫外LED用材料由于P型层霍尔浓度低,以致存在着无法改善其决定功率效率的电子注入效率问题。为解决这一问题,日本理化学研究所在其电子阻塞层内引入了多重量子壁障(MQB),从而在250nm波长下往发光层内的电子注入效率从过去的10%~30%提高到了80%以上。由于MQB的引人而导致的紫外光输出高效率化,不仅更有效地用于医疗、
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