MEB生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
MEB生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
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29 2021-09-19
pdf | 168KB | 未知
正文 简介
本文从理论上分析了实现ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器高光功率转换效率，高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面乐功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子束外延生长构成了高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器，其最高光功率转换率为５３％，最大输出功率为３．７Ｗ，垂直于结平面方向远场发散角为３０°。
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