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基于GaN HEMT Doherty宽带功率放大器

基于GaN HEMT Doherty宽带功率放大器

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24 2021-09-19
pdf | 181KB | 未知
正文 简介
研究了宽带Doherty功率放大器设计的相关问题.为了拓宽Doherty功率放大器的带宽,提出了一种新型负载调制网络.采用CREE半导体公司的GaN HEMT功放管CGH40010F,应用新型负载调制网络设计了一款宽带Doherty功率放大器并进行了实物加工测试.主功放工作在AB类,直流偏置V_(ds)=28V,V_(gs)=-2.7V；辅功放工作在C类,直流偏置V_(ds)=28V,V_(gs)=-5.5V.测试结果显示,新型宽带Doherty功率放大器实物在1.5~2.3GHz的800MHz带宽内,饱和输出功率为42.66~44.39dBm,饱和效率在52%~66%之间,输出功率回退6dB处的效率在46%~50%之间,相对带宽为42.1%,且增益平坦,验证了设计方案的可行性.
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