第二章光纤通信参考答案
11. 半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知 GaAs材料的
Eg=1.43eV,某一 InGaAsP材料的 Eg=0.96eV,求它们的发射波长。 (eV是能量单位,
表示一个电子在 1伏特电压差下所具有的能量 )
解: gh E
34 8
7
19
6.626 10 ( ) 3 10 ( / )
8.688 10 0.8688
1.43 1.6 10g
hc J s m s
m m
E J
InGaAsP材料,
34 8
6
19
6.626 10 ( ) 3 10 ( / )
1.294 10 1.294
0.96 1.6 10g
hc J s m s
m m
E J
12. 一半导体激光器,谐振腔长 L=300μm,工作物质的损耗系数 α=1mm -1,谐
振腔两端镜面的反射率 R1R2=0.33 × 0.33,求激光器的阈值增益系统 γ